▲Avalanche Technology和聯電推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體。（示意圖／聯電提供）

記者高兆麟／綜合報導

專精於MRAM技術的創新公司Avalanche Technology與半導體晶圓專工領導廠商聯電（2303）今日宣佈推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體(Persistent Static Random Access Memory, P-SRAM)。這個備受期待的第三代產品平臺建構於Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體技術以及聯電的22奈米制程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。

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Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理Danny Sabour表示，此次新產品的推出，真正實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼(Error-Correcting Code, ECC)或耗損平均技術。有鑑於現今無所不在的感測裝置以及日益升高的資料處理需求推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要，我們將很快啓動進一步提高 16Gb 單晶片解決方案的開發工作。

聯電前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，我們很高興與Avalanche Technology這樣的技術領導廠商合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且高度可擴展的MRAM解決方案商業化。聯電憑藉着多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並透過此次與 Avalanche Technology的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。

Avalanche Technology首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自 2006 年起，Avalanche Technology持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面(perpendicular Magnetic Tunnel Junction, pMTJ)結構的STT-MRAM技術。我們以領先業界的pMTJ和CMOS設計爲基礎，透過我們的合作伙伴聯電，讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。